MAX845EUA+
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电压 12 V、输出电流 200 mA、技术 Si，采用 UMAX-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录HIP4082IPZ
Renesas / Intersil · 封装：PDIP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 8.5 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 8.5～15 V、输出电流 1.25 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 PDIP-16 封装。IXDD630MYI
IXYS Integrated Circuits · 封装：TO-263-5
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 9 V、输出电流 30 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 TO-263-5 封装。VN808-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-36
主要参数包括电源电压（最小值） 10.5 V、电源电压（最大值） 45 V、工作电源电压 45 V、输出电流 700 mA、技术 Si、类型 High Side，采用 PowerSO-36 封装。TC4468COE
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。SI8233BD-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。MIC4452ZT
Microchip Technology / Micrel · 封装：TO-220
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 12 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 TO-220 封装。HIP4081AIBZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-20
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 15 V、技术 Si、类型 Full-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers、上升时间 35 ns，采用 SOIC-20 封装。ICL7667CPA+
Maxim Integrated · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 17 V、工作电源电压 15 V、输出电流 10 mA、技术 Si、类型 Inverting，采用 PDIP-8 封装。UCC27324DGN
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。TPS2812D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。MC34151DG
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、技术 Si、类型 Inverting、逻辑类型 CMOS, LSTTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。MIC4605-1YM
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.003527 oz，采用 SOIC-8 封装。L6387ED
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output。UCD7242RSJR
Texas Instruments · 封装：VQFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 2.2 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 2.2～18 V、输出电流 10 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 VQFN-32 封装。FAN73611MX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOP-8 封装。NCP3420DR2G
ON Semiconductor · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.6 V、电源电压（最大值） 13.2 V、工作电源电压 12 V、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SO-8 封装。MIC4124YME
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 4.5～20 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。MIC4426YM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 25 mV、输出电流 1.5 A、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。IX4426N
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、工作电源电压 4.5～35 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。