UCC27324DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录TC4422AVOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-8 封装。IXDD614PI
IXYS Integrated Circuits · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DIP-8 封装。TC4424EPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。TPS2812P
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。SI8261BCD-C-IS
Silicon Labs · 封装：SDIP-6
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 0.25 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SDIP-6 封装。UCC37321P
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。UCC27322D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。IXDN604SI
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。UCC27714D
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-14 封装。SN75372P
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V, 24 V、工作电源电压 - 0.5 V to + 7 V、输出电压 24 V、输出电流 500 mA、工作温度范围 0 C to + 70 C，采用 PDIP-8 封装。TC4432EOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 30 V、工作电源电压 4.5～30 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。TC4452VAT
Microchip Technology · 封装：TO-220-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 12 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 TO-220-5 封装。IXDN614PI
IXYS Integrated Circuits · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 14 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DIP-8 封装。FAN7888MX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-20
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 15 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-20 封装。MIC4451YM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 25 mV、输出电流 12 A、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。MIC4452YM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 25 mV、输出电流 12 A、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。MIC4452YM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 25 mV、输出电流 12 A、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。MAX845ESA+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电压 12 V、输出电流 200 mA、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。MAX1614EUA+
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 26 V、输出电流 60 uA、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 UMAX-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。