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Microchip Technology · 封装:CDIP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 4.5~18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Low Side,采用 CDIP-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Microchip Technology · 封装:CDIP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 4.5~18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Low Side,采用 CDIP-8 封装。Microchip Technology · 封装:CERDIP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 16 V、工作电源电压 4.5~16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 CERDIP-8 封装。Microchip Technology · 封装:CDIP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 4.5~18 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Non-Inverting,采用 CDIP-8 封装。ON Semiconductor · 封装:SC-74-6
主要参数包括技术 Si、类型 Inverting、产品 Relay Drivers、输出数 2 Output、配置 Dual、上升时间 725 ns,采用 SC-74-6 封装。ON Semiconductor · 封装:SOT-23-3
主要参数包括电源电压(最大值) 60 V、技术 Si、类型 Inverting、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output,采用 SOT-23-3 封装。ON Semiconductor · 封装:SOT-23-3
主要参数包括电源电压(最大值) 6 V、技术 Si、类型 Inverting、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output,采用 SOT-23-3 封装。ON Semiconductor · 封装:SC-74-6
主要参数包括技术 Si、类型 Inverting、产品 Relay Drivers、输出数 2 Output、配置 Dual、上升时间 600 ns,采用 SC-74-6 封装。Diodes Incorporated · 封装:MSOP-10
主要参数包括电源电压(最小值) 8 V、电源电压(最大值) 14 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 MSOP-10 封装。ON Semiconductor · 封装:SOT-74-6
主要参数包括电源电压(最大值) 6 V、技术 Si、类型 Inverting、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output,采用 SOT-74-6 封装。ON Semiconductor · 封装:SC-74
主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 6 V、工作电源电压 3~6 V、输出电流 400 mA、技术 Si、产品 Relay Drivers,采用 SC-74 封装。Infineon Technologies · 封装:SCT-595-5
主要参数包括电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 Relay Drivers、驱动器数 1 Driver,采用 SCT-595-5 封装。ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.002539 oz。Microchip Technology · 封装:PDIP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、工作电源电压 20 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 PDIP-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、工作电源电压 4.5~18 V、输出电压 0.025 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Non-Inverting,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology / Micrel · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 20 V、工作电源电压 4.5~20 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology / Micrel · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 4.5~18 V、输出电压 25 mV、输出电流 1.5 A、技术 Si,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology / Micrel · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 4.5~18 V、输出电压 25 mV、输出电流 1.5 A、技术 Si,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology / Micrel · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 4.5~18 V、输出电压 25 mV、输出电流 1.5 A、技术 Si,采用 SOIC-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SOP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 11 V、电源电压(最大值) 14 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOP-8 封装。Microchip Technology · 封装:PDIP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 16 V、工作电源电压 4.5~16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 PDIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。