IRS2336DSTRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-28 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MAX5062AASA+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 12.6 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-8 封装。MAX5062DASA+
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 65 ns。ADUM3224WCRZ
Analog Devices · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 1.6 mA、耗散功率（Pd） 1.6 W，采用 SOIC-Narrow-16 封装。ADUM3224WBRZ
Analog Devices · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 1.6 mA、耗散功率（Pd） 1.6 W，采用 SOIC-Narrow-16 封装。ADUM3223WARZ
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 2.3 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 870 A，采用 SOIC-16 封装。LCS703LG
Power Integrations · 封装：eSIP-16K
主要参数包括技术 Si、商品名称 HiperLCS，采用 eSIP-16K 封装。UCC27223PWP
Texas Instruments · 封装：HTSSOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 3.7 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 3.7～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 HTSSOP-14 封装。IR3551MTRPBF
Infineon Technologies · 封装：PQFN-28
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 2.5 V、输出电流 50 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PQFN-28 封装。LT1160CN#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：PDIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 60 V、输出电流 1.5 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PDIP-14 封装。UCC27322MDEP
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。MC20XS4200BAFK
NXP / Freescale
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 934070549557、单件重量 0.034297 oz。UC2950TG3
Texas Instruments · 封装：TO-220-5
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 35 V、工作电源电压 8～35 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 20 C to + 100 C、技术 Si，采用 TO-220-5 封装。IXDN630MCI
IXYS Integrated Circuits · 封装：TO-220-5
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 9 V、输出电流 30 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 TO-220-5 封装。UC3706N
Texas Instruments · 封装：PDIP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si、类型 Inverting、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 PDIP-16 封装。IR21363JPBF
Infineon Technologies · 封装：PLCC-32
主要参数包括电源电压（最小值） 12 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PLCC-32 封装。UC2710N
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.7 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.7～18 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。LTC1156CN#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：PDIP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 18 V、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-16 封装。FRDM-34933EP-EVB
NXP / Freescale
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、型号别名 935328906598、单件重量 8 oz。MAX258EVKIT#
Maxim Integrated
主要参数包括技术 Si、型号别名 MAX258。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。