TSC428CBA+
Maxim Integrated · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SO-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录VNQ5E050MKTR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-24
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 41 V、工作电源电压 4.5～28 V、技术 Si、类型 High Side、产品 Driver ICs - Various，采用 PowerSSO-24 封装。VNQ5E050KTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 13 V、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 4 Driver。ADUM3220ARZ-RL7
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 4.7 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 700 A，采用 SOIC-8 封装。UCC27222PWP
Texas Instruments · 封装：HTSSOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 3.7 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 3.7～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 HTSSOP-14 封装。ISL2111BR4Z
Renesas / Intersil · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 8～14 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 DFN-8 封装。TC4626CPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 4～6 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-8 封装。MAX15018BASA+
Maxim Integrated · 封装：SO-EP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 8～12.6 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SO-EP-8 封装。TC4626COE
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 4～6 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。MAX4825ETP+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 Relay Drivers、上升时间 2 us，采用 TQFN-EP-20 封装。MIC5013YM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7 V、电源电压（最大值） 32 V、工作电源电压 7～32 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。UCC27210D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 7.8～20 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。MAX4428CPA+
Maxim Integrated · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 DIP-8 封装。TC4626EPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 4～6 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-8 封装。TC4627EPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 4～6 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-8 封装。TC4626EOE
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 4～6 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。EMB1412MY/NOPB
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。MAX845EUA+T
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电压 12 V、输出电流 200 mA、技术 Si，采用 UMAX-8 封装。MAX8535EUA+
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 14 V、输出电压 12 V、输出电流 20 A、技术 Si，采用 UMAX-8 封装。ADUM3220WBRZ
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 4.7 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 700 A，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。