ISL6612ACBZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2000 kHz、电源电压（最大值） 13.2 V、工作电源电压 12 V、输出电流 3 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录LM25101AM/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 9～18 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UCC37321PE4
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。IRS2112PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PDIP-14 封装。UCC27321D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。IXDI604SI
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。UCC27210DRMT
Texas Instruments · 封装：VSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 7.8～20 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 VSON-8 封装。MIC4468YN
Microchip Technology / Micrel · 封装：PDIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.2 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-14 封装。MIC4467ZWM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.2 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。UCC27201ADDA
Texas Instruments · 封装：SO-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电压 0.25 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C，采用 SO-PowerPad-8 封装。SI8238AD-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。MAX4428CSA+
Maxim Integrated · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SO-8 封装。MAX4429EPA+
Maxim Integrated · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 DIP-8 封装。HIP2100IRZ
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 QFN EP 封装。TC4422VAT
Microchip Technology · 封装：TO-220-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 TO-220-5 封装。FDA217
IXYS Integrated Circuits · 封装：DIP-8
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、配置 Dual、工作电源电流 5 mA，采用 DIP-8 封装。ISL89163FRTBZ
Renesas / Intersil · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 16 V、输出电流 6 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 20 ns，采用 TDFN-EP-8 封装。TC4469EPD
Microchip Technology · 封装：PDIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-14 封装。ISL6609ACBZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。L9348-TR
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 4.8 V、技术 Si、类型 Low Side、驱动器数 4 Driver、输出数 4 Output、上升时间 1.5 us。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。