IRS21084STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-14 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录ZXGD3101T8TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 5～15 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOT-223-8 封装。IR25607STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 2 A、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。IX2113BTR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 1.6 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Driver ICs - Various，采用 SOIC-16 封装。IR2109SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 120 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。IX2113B
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 1.6 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Driver ICs - Various，采用 SOIC-16 封装。IX2113G
IXYS Integrated Circuits
主要参数包括技术 Si、商品名称 Clare。MAQ4123YME
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 4.5～20 V、输出电压 25 mV、输出电流 3 A、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。IX21844G
IXYS Integrated Circuits · 封装：DIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 DIP-14 封装。E-L9338MD
STMicroelectronics · 封装：SO-20
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 32 V、输出电压 45 V、输出电流 5 mA、技术 Si、类型 Low Side，采用 SO-20 封装。TPS2836D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4.5～15 V、输出电流 2.4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。L9380-TR-LF
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。ZXGD3102T8TA
Diodes Incorporated · 封装：SO-7
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output、上升时间 5100 ns，采用 SO-7 封装。TC4424VPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。TC4423VOE
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 封装。TC4425VPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。SM74104SD/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 WSON-10 封装。TC4429CAT
Microchip Technology · 封装：TO-220-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 TO-220-5 封装。IRS2113STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 封装。SI8235BB-D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。