IXDN602SI
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、商品名称 Clare，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录IXDI602SI
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、商品名称 Clare，采用 SOIC-8 封装。IRS2106PBF
Infineon / IR · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。MIC5015YN
Microchip Technology / Micrel · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.75 V、电源电压（最大值） 30 V、工作电源电压 2.75～30 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 TTL，采用 PDIP-8 封装。MIC4421AYN
Microchip Technology / Micrel · 封装：PDIP-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、单件重量 0.032805 oz，采用 PDIP-8 封装。MIC4600YML-T5
Microchip Technology / Micrel
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 MIC4600YML T5、单件重量 0.000751 oz。MIC4423ZN
Microchip Technology / Micrel · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DIP-8 封装。MIC4423YWM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。L6574D
STMicroelectronics · 封装：SO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 120 ns，采用 SO-16 封装。1EDI60I12AF
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 1EDI60I12AFXUMA1 SP001037208、单件重量 0.002928 oz。TC4421AVMF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side，采用 DFN-8 封装。MP1907GQ-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：QFN3x3-10
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、技术 Si、上升时间 12 ns、下降时间 9 ns、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN3x3-10 封装。SIC780ACD-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：PowerPAK MLP66-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 50 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PowerPAK MLP66-40 封装。TC4451VMF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 2.6 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 DFN-8 封装。FAN3214TMX-F085
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。FAN3225TMX-F085
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。ADP3625ARDZ-RL
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。ISL55110IRZ-T7A
Renesas / Intersil · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、输出电压 13.2 V、输出电流 3.5 A、技术 Si，采用 QFN-16 封装。SI8275DB-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。TC4403EPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。