IRS21814STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-14 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录VN5050AJ-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-12
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 41 V、工作电源电压 13 V、输出电流 18 A、技术 Si、类型 High Side，采用 PowerSSO-12 封装。TPS2815DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。VN5E050J-E
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 13 V、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 1 Driver。MCP1405-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 0.025 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SOIC-8 封装。TC4425AVMF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side，采用 DFN-8 封装。TC4423AVMF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side，采用 DFN-8 封装。MCP14E10-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-8 封装。IXDD609PI
IXYS Integrated Circuits · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DIP-8 封装。ISL6208CRZ
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
主要参数包括最大时钟频率 2000 kHz、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 QFN EP 封装。L6390D
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 12.5 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 1 Driver。SI8261ACD-C-IS
Silicon Labs · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 0.4 V、输出电流 600 mA、技术 Si、类型 Inverting，采用 SO-8 封装。ADP3650JRZ
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.15 V、电源电压（最大值） 13.2 V、工作电源电压 4.15～13.2 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。UCC37324D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UCC27425DGN
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。IRS24531DSTRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 260 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-14 封装。UCC27528D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UCC27323D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。ADP3629ARMZ-R7
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 9.5～18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 MSOP-8 封装。ADP3630ARMZ-R7
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 9.5～18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 MSOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。