TC1410NEUA
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录L6571AD013TR
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、工作电源电压 10 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SO-8 封装。FAN3226CMX-F085
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。IX3120G
IXYS Integrated Circuits
主要参数包括技术 Si。MIC4452VM-TR
Microchip Technology / Micrel
主要参数包括技术 Si、型号别名 MIC4452VM TR。IX3120GS
IXYS Integrated Circuits · 封装：SMT-8
主要参数包括电源电压（最小值） 15 V、电源电压（最大值） 30 V、工作电源电压 15～30 V、输出电压 0.1 V、输出电流 2.5 A、工作温度范围 - 40 C to + 100 C，采用 SMT-8 封装。SI8261BAC-C-IP
Silicon Labs · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 60 ns、工作电源电流 2 mA，采用 DIP-8 封装。TC4421VMF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。TC4422VMF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。TC4427AVUA
Microchip Technology
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output。VNB14NV04-E
STMicroelectronics · 封装：D2PAK-2
主要参数包括输出电流 12 A、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output、上升时间 350 ns，采用 D2PAK-2 封装。TC4428AVUA
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 MSOP-8 封装。IRS2453DSPbF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 260 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-14 封装。TC4426AVUA
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。ADP3654ARDZ-R7
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.15～18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。SI8261BBC-C-IP
Silicon Labs · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 60 ns、工作电源电流 2 mA，采用 DIP-8 封装。MP18021HN-LF-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。TC4421EMF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。SI8232BB-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。BU2092FV-E2
ROHM Semiconductor · 封装：SSOP-20
主要参数包括输出电压 2～1 V、输出电流 10 uA、技术 Si、工作电源电流 5 A、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 75 C，采用 SSOP-20 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。