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型号列表

134,686 条型号记录
每页 20 条

FAN7382M1X

ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SOP-14

主要参数包括电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 20 V、输出电压 0.3 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge,采用 SOP-14 封装。

IRS21531DSTRPBF

Infineon Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、电源电压(最小值) 10.1 V、电源电压(最大值) 16.8 V、输出电流 260 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side,采用 SOIC-8 封装。

MIC4424YM-TR

Microchip Technology / Micrel · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 4.5~18 V、输出电压 25 mV、输出电流 3 A、技术 Si,采用 SOIC-8 封装。

IRS2153DSTRPBF

Infineon Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、电源电压(最小值) 10.1 V、电源电压(最大值) 16.8 V、输出电流 260 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side,采用 SOIC-8 封装。

FAN3122CMPX

ON Semiconductor / Fairchild · 封装:MLP-8

主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 12 V、输出电流 9.7 A、技术 Si、类型 Low Side,采用 MLP-8 封装。

RE46C119E16F

Microchip Technology · 封装:DIP-16

主要参数包括电源电压(最小值) 6 V、电源电压(最大值) 12 V、技术 Si、类型 High Side、工作电源电流 6.5 uA、最小工作温度 - 40 C,采用 DIP-16 封装。

TC4426VUA

Microchip Technology · 封装:MSOP-8

主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 4.5~18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 MSOP-8 封装。

TC1413NEUA

Microchip Technology · 封装:MSOP-8

主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 16 V、工作电源电压 4.5~16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 MSOP-8 封装。

TC1413EPA

Microchip Technology · 封装:PDIP-8

主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 16 V、工作电源电压 4.5~16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 PDIP-8 封装。

TC4426AVPA

Microchip Technology · 封装:PDIP-8

主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 4.5~18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 PDIP-8 封装。

TC1410NCOA

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 16 V、工作电源电压 4.5~16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 SOIC-8 封装。

TC1410CPA

Microchip Technology · 封装:PDIP-8

主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 16 V、工作电源电压 4.5~16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 PDIP-8 封装。

TC1410COA

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 16 V、工作电源电压 4.5~16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 SOIC-8 封装。

FAN3121TMPX

ON Semiconductor / Fairchild · 封装:MLP-8

主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 12 V、输出电流 9.7 A、技术 Si、类型 Low Side,采用 MLP-8 封装。

MIC4429YMM-TR

Microchip Technology / Micrel · 封装:MSOP-8

主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、型号别名 MIC4429YMM TR、单件重量 0.004938 oz,采用 MSOP-8 封装。

1EDI05I12AFXUMA1

Infineon Technologies · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 3.3 V、电源电压(最大值) 15 V、输出电流 1.3 A、技术 Si、类型 High Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。

MIC4429ZM

Microchip Technology / Micrel · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。

AUIRS2117STR

Infineon / IR · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 20 V、输出电压 10~20 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side,采用 SOIC-8 封装。

TC1413EOA

Microchip Technology · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 16 V、工作电源电压 4.5~16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 SOIC-8 封装。

TC4423EMF

Microchip Technology · 封装:DFN-8

主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 4.5~18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 DFN-8 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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