TC4426COA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录TC4428CPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。TC4426VOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。TC4426VPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。IRS4426STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 2.3 A、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。FAN3225CMPX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：MLP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MLP-8 封装。TC1411VPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 PDIP-8 封装。TC4429VMF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。IRS2003PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。TC1412EPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。TC1413CPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。TC1412NEUA
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。IXDI602PI
IXYS Integrated Circuits · 封装：DIP-8
主要参数包括技术 Si、商品名称 Clare，采用 DIP-8 封装。IXDN602D2TR
IXYS Integrated Circuits · 封装：DFN-8
主要参数包括技术 Si、商品名称 Clare，采用 DFN-8 封装。IXDI602SIATR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、商品名称 Clare，采用 SOIC-8 封装。TC1413NCOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。VN5E160MSTR-E
STMicroelectronics · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 41 V、工作电源电压 4.5～28 V、输出电流 10 A、技术 Si、类型 High Side，采用 SOIC-8 封装。NCP81071CZR2G
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si。TC1412NCPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。TC1412CPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。