MIC4427YMM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装:MSOP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 4.5~18 V、输出电压 25 mV、输出电流 1.5 A、技术 Si,采用 MSOP-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Microchip Technology / Micrel · 封装:MSOP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 4.5~18 V、输出电压 25 mV、输出电流 1.5 A、技术 Si,采用 MSOP-8 封装。Microchip Technology / Micrel · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 16 V、工作电源电压 4.5~16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology / Micrel · 封装:SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、型号别名 MIC4426ZM TR、单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology / Micrel · 封装:MSOP-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、型号别名 MIC4428YMM TR、单件重量 0.004938 oz,采用 MSOP-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SOP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 20 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side、产品 Half-Bridge Drivers,采用 SOP-8 封装。Microchip Technology · 封装:DFN-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 4.5~18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 DFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:DFN-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 4.5~18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 DFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:DFN-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 4.5~18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 DFN-8 封装。IXYS Integrated Circuits · 封装:DFN-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 30 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 DFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:DIP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 2 V、电源电压(最大值) 5 V、技术 Si、工作电源电流 14 uA、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 50 C,采用 DIP-8 封装。Microchip Technology / Micrel · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 5.5 V、电源电压(最大值) 16 V、工作电源电压 12 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:MLP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 12 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Inverting,采用 MLP-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 4.5~18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 SOIC-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:MLP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 MLP-8 封装。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:MLP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 12 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Inverting,采用 MLP-8 封装。Microchip Technology · 封装:PDIP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 4.5~18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 PDIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。