MCP14A0051T-E/CH
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录VNL5300S5TR-E
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。IR44272LTRPBF
Infineon / IR
主要参数包括技术 Si、型号别名 SP001533396。RE46C108E8F
Microchip Technology · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 13.8 V、技术 Si、工作电源电流 4 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 DIP-8 封装。PX3519XTMA1
Infineon Technologies · 封装：VDSON-8
主要参数包括技术 Si、型号别名 PX3519 SP000985712，采用 VDSON-8 封装。PX3517
Infineon Technologies · 封装：TDSON-EP-10
主要参数包括技术 Si、高度 0.9 mm、长度 3.1 mm、宽度 3.1 mm、型号别名 PX3517FTMA1 SP000923218，采用 TDSON-EP-10 封装。TC4426VMF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。IRS2304SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。IRS20752LTRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-6
主要参数包括技术 Si、高度 1.45 mm、长度 2.9 mm、宽度 1.6 mm、型号别名 SP001548576、单件重量 0.001270 oz，采用 SOT-23-6 封装。RE46C105E14F
Microchip Technology · 封装：DIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 13.8 V、技术 Si、工作电源电流 3.5 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 DIP-14 封装。TC4427EMF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。NCP5109ADR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 23 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-8 封装。TC4428AEMF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。TC4428EMF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。TC4426EMF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。RE46C104E14F
Microchip Technology · 封装：DIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 8 V、技术 Si、工作电源电流 200 uA、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 50 C，采用 DIP-14 封装。NCV8440ASTT3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-223-3
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output、配置 Single、上升时间 710 ns、下降时间 1.18 us、耗散功率（Pd） 1.69 W，采用 SOT-223-3 封装。MCP1406-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 0.025 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-8 封装。MIC44F18YMME
Microchip Technology / Micrel · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、工作电源电压 4.5～13.2 V、输出电压 0.025 V、输出电流 6 A、技术 Si，采用 MSOP-8 封装。NCP5111DR2G
ON Semiconductor
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 160 ns。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。