LT1158ISW#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SO-16 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录SI8261BBD-C-ISR
Silicon Labs · 封装：SDIP-6
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 77 ns、工作电源电流 30 mA，采用 SDIP-6 封装。LTC1154CS8#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 18 V、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SO-8 封装。LTC4440EMS8E-5#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 36 V、电源电压（最大值） 80 V、输出电压 4～15 V、输出电流 2.4 A、技术 Si、类型 High Side，采用 MSOP-8 封装。A6387D
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。LTC1477CS8#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SO-8 封装。LT1336CS#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 10.6 V、输出电流 10 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SO-16 封装。LTC4449IDCB#TRMPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 6.5 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DFN-8 封装。SI8271DB-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。LTC4444IMS8E#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.2 V、电源电压（最大值） 13.5 V、输出电压 0.7 V、输出电流 3 A、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。LTC1693-1CS8#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电压 11.97 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SO-8 封装。MCP14A0152T-E/MAY
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si。LT1336CN#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：PDIP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 10.6 V、输出电流 10 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 PDIP-16 封装。LTC1155IS8#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 18 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 High Side，采用 SO-8 封装。LT1161CSW#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-20
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 48 V、输出电压 12 V、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SO-20 封装。LT1158CSW#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-16
主要参数包括技术 Si，采用 SO-16 封装。NCP81151MNTBG
ON Semiconductor · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DFN-8 封装。RE46C100D8F
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括技术 Si，采用 DFN-8 封装。NCP81146MNTBG
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si。NCP81166MNTBG
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。