ISL6620CRZ
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 DFN-EP-10 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录LTC1255CS8#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 24 V、输出电压 10.5 V、输出电流 23 uA、技术 Si、类型 High Side，采用 SO-8 封装。VNQ500NTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。VN800PTTR-E
STMicroelectronics · 封装：PPAK
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、技术 Si、类型 High Side、输出数 1 Output、工作电源电流 1.5 mA、耗散功率（Pd） 41700 mW，采用 PPAK 封装。TC4428VUA713
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。MADR-009269-000100
MACOM · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 Driver ICs - Various，采用 SOIC-8 封装。LTC1982ES6#TRMPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SOT-6
主要参数包括电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 7.25 V、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOT-6 封装。TC1411NEUA713
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。SI8275GB-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。TC4431VOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 SOIC-8 封装。LTC1693-1IS8#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电压 11.97 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SO-8 封装。SI8274BB1-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。TC4428EUA713
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。MCP1406T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 SOIC-8 封装。SI8261AAC-C-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 60 ns、工作电源电流 2 mA，采用 SOIC-8 封装。IRS2005MTRPBF
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 SP001534270。SIC620RCD-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 60 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers。LTC1155CS8#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 18 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 High Side，采用 SO-8 封装。ISL6615AIBZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1000 kHz、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电流 6 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。LTC4444EMS8E#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.2 V、电源电压（最大值） 13.5 V、输出电压 0.7 V、输出电流 3 A、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。