LT1910ES8#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm，采用 SO-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录1ED020I12-FT
Infineon Technologies · 封装：DSO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 6.5 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 DSO-16 封装。VND5T050AKTR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-24
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 24 V、工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、类型 High Side，采用 PowerSSO-24 封装。HIP2101EIBZT
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-EP-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 600 ns，采用 SOIC-EP-Narrow-8 封装。VN5E050JTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 13 V、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 1 Driver。MAX17603ATA+T
Maxim Integrated
主要参数包括技术 Si、型号别名 MAX17603。ISL89165FBEAZ-T
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-EP-8
主要参数包括最大时钟频率 10000 kHz、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 6 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-EP-8 封装。ISL6614ACBZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-14
主要参数包括最大时钟频率 1000 kHz、电源电压（最大值） 13.2 V、工作电源电压 12 V、输出电流 3 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-14 封装。LTC4440ES6-5#TRMPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SOT-6
主要参数包括电源电压（最小值） 36 V、电源电压（最大值） 80 V、输出电压 4～15 V、输出电流 2.4 A、技术 Si、类型 High Side，采用 SOT-6 封装。LTC4440EMS8E#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 36 V、电源电压（最大值） 80 V、输出电压 8～15 V、输出电流 2.4 A、技术 Si、类型 High Side，采用 MSOP-8 封装。LT1161ISW#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-20
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 48 V、输出电压 12 V、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SO-20 封装。VND5E050JTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 13 V、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 2 Driver。SI8231BB-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 20 ns。LM5109BSDX/NOPB
Texas Instruments · 封装：LLP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 LLP-8 封装。VN5E050AJ-E
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 13 V、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 1 Driver。SI8261BCC-C-ISR
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。LT1160CS#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SO-14 封装。SI8220BB-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。LTC1154HS8#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 18 V、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SO-8 封装。TC4426VUA713
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。