2EDL23I06PJXUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-14
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm、长度 8.75 mm、宽度 3.9 mm、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 2EDL23I06PJ SP001080086，采用 SOIC-14 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录LM5101CMY/NOPB
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。TC4429COA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。TPS28226DRBR
Texas Instruments · 封装：SON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 8.8 V、工作电源电压 4～8.8 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SON-8 封装。TC4429VOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。MAX15013CASA+
Maxim Integrated · 封装：SO-EP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 8～12.6 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SO-EP-8 封装。SI8261BAD-C-ISR
Silicon Labs · 封装：SDIP-6
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 71 ns、工作电源电流 30 mA，采用 SDIP-6 封装。MAX5079EUD+T
Maxim Integrated · 封装：TSSOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 13.2 V、工作电源电压 13.2 V、技术 Si、驱动器数 1 Driver、工作电源电流 4 mA，采用 TSSOP-14 封装。IRS21094SPBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 PDIP-8 封装。MAX17604AUA+T
Maxim Integrated
主要参数包括技术 Si、型号别名 MAX17604。ADUM4223ARWZ-RL
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 2.3 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 1.4 mA，采用 SOIC-16 封装。UCC37325DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。DRV401AMDWPREP
Texas Instruments · 封装：HSOP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、输出电流 200 mA、工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si，采用 HSOP-20 封装。UCC24610DRBR
Texas Instruments · 封装：SON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 6.5 V、工作电源电压 4.5～6.5 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SON-8 封装。TC1412EUA713
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。6EDL04N06PTXUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-28
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 6EDL04N06PT 6EDL4N6PTXT SP000926102，采用 SOIC-28 封装。SI8261BBC-C-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 75 ns、工作电源电流 30 mA，采用 SOIC-8 封装。MIC4128YMME-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4128YMME TR、单件重量 0.004938 oz，采用 MSOP-8 封装。ISL6609AIBZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。ISL6596IRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 DFN-EP-10 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。