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Texas Instruments · 封装:SO-PowerPad-8
主要参数包括电源电压(最小值) 7.8 V、电源电压(最大值) 20 V、工作电源电压 7.8~20 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si,采用 SO-PowerPad-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Texas Instruments · 封装:SO-PowerPad-8
主要参数包括电源电压(最小值) 7.8 V、电源电压(最大值) 20 V、工作电源电压 7.8~20 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si,采用 SO-PowerPad-8 封装。Analog Devices / Linear Technology · 封装:SOT-5
主要参数包括电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5 V、输出电压 7.5 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS,采用 SOT-5 封装。ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101、湿敏性 是、型号别名 FAN7085M_GF085、单件重量 0.008127 oz。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 4.5~18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 16 V、工作电源电压 4.5~16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 SOIC-8 封装。Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、型号别名 SP000394373 TLE8444SLXT TLE8444SLXUMA1。Renesas / Intersil · 封装:QFN EP
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output,采用 QFN EP 封装。Infineon Technologies · 封装:PLCC-32
主要参数包括电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 PLCC-32 封装。Microchip Technology · 封装:TDFN-10
主要参数包括电源电压(最小值) 5.25 V、电源电压(最大值) 16 V、输出电压 1.9 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers,采用 TDFN-10 封装。STMicroelectronics · 封装:HPAK-7
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 41 V、工作电源电压 4.5~28 V、输出电流 85 A、技术 Si、类型 High Side,采用 HPAK-7 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、输出电压 4.2~30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅(SiC)、类型 Half-Bridge,采用 SOIC-8 封装。MACOM
主要参数包括技术 Si。Microchip Technology / Micrel · 封装:SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、型号别名 MIC4422ZM TR、单件重量 0.019048 oz,采用 SOIC-8 封装。Renesas / Intersil · 封装:SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2000 kHz、电源电压(最大值) 13.2 V、工作电源电压 12 V、输出电流 3 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver,采用 SOIC-8 封装。STMicroelectronics · 封装:SOIC-14
主要参数包括电源电压(最小值) - 0.3 V、电源电压(最大值) 21 V、工作电源电压 12.5~20 V、输出电压 580 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side,采用 SOIC-14 封装。Microchip Technology · 封装:MSOP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 16 V、工作电源电压 4.5~16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 MSOP-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。ON Semiconductor / Fairchild · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电压 15 mV、输出电流 9.7 A、技术 Si、类型 Low Side,采用 SOIC-8 封装。Silicon Labs
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。