IR21091STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 350 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MIC4102YM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 Half-Bridge Drivers、型号别名 MIC4102YM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。MIC4127YMME-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4127YMME TR、单件重量 0.004938 oz，采用 MSOP-8 封装。MIC4128YML-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：MLF-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4128YML TR，采用 MLF-8 封装。DRF1301
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 Si。TPS2811QPWRQ1
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 TSSOP-8 封装。ISL6609IRZ
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 QFN EP 封装。MCP1404-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 20 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。MIC4422AYM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、型号别名 MIC4422AYM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。MIC5011YM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、型号别名 MIC5011YM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。ISL89165FRTAZ
Renesas / Intersil · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括最大时钟频率 10000 kHz、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 6 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 TDFN-EP-8 封装。ISL89165FBEBZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-EP-8
主要参数包括最大时钟频率 10000 kHz、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 6 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-EP-8 封装。ISL89163FRTAZ
Renesas / Intersil · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 16 V、输出电流 6 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 20 ns，采用 TDFN-EP-8 封装。VND5E160JTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 13 V、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 2 Driver。FAN3121CMPX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：MLP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 12 V、输出电流 9.7 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 MLP-8 封装。MIC4425YM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、型号别名 MIC4425YM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。UCD7232RTJR
Texas Instruments · 封装：QFN-20
主要参数包括电源电压（最小值） 4.7 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4.7～15 V、输出电压 500 mV、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C，采用 QFN-20 封装。TC1413NEOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。EMB1428QSQ/NOPB
Texas Instruments · 封装：WQFN-48
主要参数包括电源电压（最小值） 18 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、逻辑类型 TTL、工作电源电流 750 uA、最小工作温度 - 40 C，采用 WQFN-48 封装。MAX17605ATA+T
Maxim Integrated
主要参数包括技术 Si、型号别名 MAX17605。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。