SI8234BB-D-IMR
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录AUIR3240STR
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 4～36 V、输出电压 11.5 V、输出电流 200 mA、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。IRS2183STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。MIC4421YM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、型号别名 MIC4421YM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。L9733XPTR
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-28
主要参数包括输出电流 190 mA、技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是，采用 PowerSSO-28 封装。TPS51604QDSGRQ1
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、认证等级 AEC-Q100、特性 Dead Time Control, Single Supply, Synchronous Rectification，采用 WSON-8 封装。MIC44F19YMME-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC44F19YMME TR、单件重量 0.004938 oz，采用 MSOP-8 封装。MIC4127YML-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：MLF-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4127YML TR，采用 MLF-8 封装。ADUM4223BRWZ-RL
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 2.3 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 1.4 mA，采用 SOIC-16 封装。MADRCC0005
MACOM
主要参数包括技术 Si。TPS2813PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 TSSOP-8 封装。UCC27423QDRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。ADUM7234BRZ-RL7
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 12～18 V、输出电流 1.5 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。NCV8405ASTT3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-223-3
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output、配置 Single、认证等级 AEC-Q100、漏源导通电阻（Rds On） 100 mOhms、单件重量 0.008818 oz，采用 SOT-223-3 封装。ISL89401AR3Z
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-9
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 1.25 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 1 us，采用 DFN-EP-9 封装。MD1813K6-G
Microchip Technology · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 4 Driver、输出数 4 Output、上升时间 6 ns，采用 QFN-16 封装。MIC5013YM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、型号别名 MIC5013YM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。UC3707DWTR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-16 封装。IRS2336DMTRPBF
Infineon Technologies · 封装：MLPQ-48
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MLPQ-48 封装。BD65492MUV-E2
ROHM Semiconductor
主要参数包括电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。