VNQ5E160AKTR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-24
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 41 V、工作电源电压 4.5～28 V、技术 Si、类型 High Side、产品 Driver ICs - Various，采用 PowerSSO-24 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MC33797BPEWR2
NXP / Freescale · 封装：SOICW-32
主要参数包括输出电压 7 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Driver ICs - Various、上升时间 20 ns，采用 SOICW-32 封装。VNQ5E050AKTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 13 V、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 4 Driver。NCV5104DR2G
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100。TC4427EUA713
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。EL7242CSZ-T7
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10000 kHz、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。IR2108STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。UCC37323DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。IRS2301STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。UCC37322DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。ISL6208CBZ-T
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2000 kHz、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。LM5112Q1SDX/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-6
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 7 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-6 封装。ZXGD3107N8TC
Diodes Incorporated · 封装：SO-8
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SO-8 封装。MIC44F19YML-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：MLF-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、型号别名 MIC44F19YML TR，采用 MLF-8 封装。VN5E010AH-E
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。ADP3624ARDZ-RL
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。TD352ID
STMicroelectronics · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 12 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 SOIC-8 封装。AUIRS2181STR
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。1EDI60I12AFXUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 1EDI60I12AF SP001037208、单件重量 0.057144 oz，采用 SOIC-8 封装。SI8237BB-D-IS1R
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 20 ns。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。