LM5114BMFX/S7003094
Texas Instruments · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 4～12.6 V、输出电流 7.6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-6 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录VNQ5E160KTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 13 V、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 4 Driver。L6393DTR
STMicroelectronics · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） - 0.3 V、电源电压（最大值） 21 V、工作电源电压 12.5～20 V、输出电压 580 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-14 封装。ISL6146BFRZ
Renesas / Intersil · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 20 V、技术 Si、驱动器数 1 Driver、工作电源电流 40 uA、最小工作温度 - 40 C，采用 DFN-8 封装。UCC27532QDBVRQ1
Texas Instruments · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 35 V、工作电源电压 10～35 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOT-23-6 封装。TC4423AVPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Inverting，采用 PDIP-8 封装。SI8233BD-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns。UCC27211ADRMR
Texas Instruments · 封装：VSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 7.8～20 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 VSON-8 封装。IR2181PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。IR1167ASTRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 500 kHz、电源电压（最小值） 12 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 200 V、输出电流 7 A、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。MAX4896ETP+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Non-Inverting。TC4432VOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 30 V、工作电源电压 4.5～30 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-8 封装。MC33152VDR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS, LSTTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。L6375STR
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side、输出数 1 Output、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SO-8 封装。MIC4123YME-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4123YME TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。MCP1407T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 SOIC-8 封装。IR2130STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-28 封装。LCS708HG
Power Integrations · 封装：eSIP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 11.4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 11.4～15 V、输出电流 24.9 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 eSIP-16 封装。ISL89164FBEBZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-EP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 16 V、输出电流 6 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 20 ns，采用 SOIC-EP-8 封装。MAX4823ETP+T
Maxim Integrated
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、型号别名 MAX4823。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。