SIC780CD-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：PowerPAK MLP66-40L
主要参数包括电源电压（最小值） - 0.3 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 - 0.3 V to + 22 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PowerPAK MLP66-40L 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录TC4427EOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。EL7104CSZ-T7
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10000 kHz、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 SOIC-8 封装。2EDL23N06PJXUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-14
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 2EDL23N06PJ SP001080088，采用 SOIC-14 封装。TPS2819QDBVRQ1
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。LM5101AMR/NOPB
Texas Instruments · 封装：SO-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SO-PowerPad-8 封装。IR2125STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 12～18 V、输出电压 12～18 V、输出电流 1 A、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。CSD95378BQ5MC
Texas Instruments
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、湿敏性 是、商品名称 NexFET。VNQ5050KTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 13 V、输出电流 12 A、技术 Si、类型 High Side。SI8261BCD-C-ISR
Silicon Labs · 封装：SDIP-6
主要参数包括输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是，采用 SDIP-6 封装。UCC27538DBVR
Texas Instruments · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 35 V、工作电源电压 10～35 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOT-23-6 封装。NCV33152DR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6.1 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS, LSTTL，采用 SOIC-8 封装。UCC27200DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。IX4428MTR
IXYS Integrated Circuits · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DFN-8 封装。TPS2818MDBVREP
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 5～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。TPS2819MDBVREP
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 5～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。NCV7754DPR2G
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。ISL95808HRZ-T
Renesas / Intersil
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.000388 oz。LM5101CMA/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UCC27201DDA
Texas Instruments · 封装：SO-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SO-PowerPad-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。