IR2213STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 12 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.7 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录VND5T100LAJTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。VNQ500PEPTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 13 V、输出电流 900 mA、技术 Si、类型 High Side。MC33932VW
NXP / Freescale · 封装：HSOP-44
主要参数包括电源电压（最小值） - 0.3 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电压 7 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 HSOP-44 封装。VN540-E
STMicroelectronics · 封装：PENTAWATT V-5
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 36 V、输出电流 2.8 A、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PENTAWATT V-5 封装。UC3707N
Texas Instruments · 封装：PDIP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 PDIP-16 封装。IR3579MTRPBF
Infineon / IR
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 SP001525222。MC33883HEGR2
NXP / Freescale · 封装：SOIC-20
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 55 V、工作电源电压 5.5～55 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-20 封装。MAX256ASA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、技术 Si、工作电源电流 1.06 mA、耗散功率（Pd） 1509 mW。TC4468CPD
Microchip Technology · 封装：PDIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-14 封装。HIP2103FRTAAZ
Renesas / Intersil · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 50 V、输出电压 4 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 TDFN-EP-8 封装。TC4420COA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。MAX5078BATT+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、技术 Si、类型 Low Side、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output、上升时间 85 ns。IR21844STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 2.3 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-14 封装。MAX5075AAUA+
Maxim Integrated · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。SI8271GB-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。IXDD609SIATR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MAX4427ESA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output。VNLD5090TR-E
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 18 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 Driver ICs - Various，采用 SO-8 封装。6EDL04N02PRXUMA1
Infineon Technologies · 封装：TSSOP-28
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 6EDL04N02PR 6EDL4N2PRXT SP000926072，采用 TSSOP-28 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。