TC4428AEOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录SI8235AB-D-IM
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。IRS21864STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-14 封装。LM5102MM/NOPB
Texas Instruments · 封装：MSOP-10
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1.8 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-10 封装。VNL5090S5TR-E
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。MAX4820EUP+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3 V, 5 V、输出电压 0.4 V、输出电流 70 mA、技术 Si。IR2136STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-28 封装。VNI2140J
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-12
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 45 V、工作电源电压 9～45 V、输出电压 45 V、输出电流 1 A、技术 Si，采用 PowerSSO-12 封装。AUIR3200STR
Infineon / IR
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、型号别名 SP001513364。VNL5050N3TR-E
STMicroelectronics · 封装：SOT-223
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 Driver ICs - Various，采用 SOT-223 封装。IX4428NTR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、工作电源电压 4.5～35 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。UC3709N
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si、类型 Inverting、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 PDIP-8 封装。IR2308SPBF
Infineon Technologies · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 5～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SO-8 封装。SI8238BB-D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。VN5050AJTR-E
STMicroelectronics · 封装：Power SSO-12
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 13 V、工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、类型 High Side，采用 Power SSO-12 封装。IRS2302SPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 5～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。SI8233BB-D-IM
Silicon Labs · 封装：LGA-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 LGA-14 封装。1EBN1001AEXUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-14
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 1EBN1001AE SP001002438、单件重量 0.005263 oz，采用 SOIC-14 封装。FAN7391MX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-14
主要参数包括输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 SOIC-14 封装。IRS2117SPbF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。