FAN73833MX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 11 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOP-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录IRS2104STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。MCP1416RT-E/OT
Microchip Technology · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOT-23-5 封装。VNL5050S5TR-E
STMicroelectronics · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 Driver ICs - Various，采用 SOIC-8 封装。MD1211LG-G
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13 V、工作电源电压 12 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-8 封装。LT1910IS8#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 48 V、输出电压 12 V、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SO-8 封装。VN540SPTR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 10～36 V、输出电流 2.8 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 PowerSO-10 封装。MAX258ATA+T
Maxim Integrated · 封装：TDFN-8
主要参数包括技术 Si、型号别名 MAX258、单件重量 0.000511 oz，采用 TDFN-8 封装。MIC4604YMT-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：TDFN-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 12 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 TDFN-10 封装。TC4422AVOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 SOIC-8 封装。L6398DTR
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） - 0.3 V、电源电压（最大值） 21 V、输出电压 - 11 V to + 580 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-8 封装。UCC27525DSDR
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 WSON-8 封装。ICL7667CBAZA-T
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10000 kHz、电源电压（最大值） 15 V、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 30 ns，采用 SOIC-8 封装。CSD95379Q3M
Texas Instruments · 封装：VSON-CLIP-10
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、湿敏性 是、商品名称 NexFET，采用 VSON-CLIP-10 封装。UCC27525DGNR
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。UCC27533DBVT
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 35 V、工作电源电压 10～35 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。IRS2183SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。EL7232CSZ-T7
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10000 kHz、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。FAN3268TMX-F085
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MC34933EP
NXP / Freescale · 封装：UQFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） - 0.5 V、电源电压（最大值） 6 V、输出电压 + 2 V to + 7 V、输出电流 1.4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 UQFN-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。