NCP5339MNTXG
ON Semiconductor · 封装：QFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 50 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 QFN-40 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录TPS2812DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。ISL6208IRZ
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
主要参数包括最大时钟频率 2000 kHz、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver，采用 QFN EP 封装。FAN73933MX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 620 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOP-14 封装。FAN7383MX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 15 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOP-14 封装。VN5T016AHTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。UCC27525DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。IR2132SPbF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 625 V、输出电压 10～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si，采用 SOIC-28 封装。IR2103STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 360 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。TC4428ACOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。UC2705D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 40 V、工作电源电压 5～40 V、输出电流 1.5 A、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UCC27201ADR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。NCV7751DQR2G
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、单件重量 0.005944 oz。FDMF6820A
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 60 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-40 封装。FAN7171M-F085
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、技术 Si、类型 High Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-8 封装。IXDN604SIATR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。FDMF5823DC
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-31
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、输出电流 55 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 PQFN-31 封装。L6393D
STMicroelectronics · 封装：SO-14
主要参数包括电源电压（最小值） - 0.3 V、电源电压（最大值） 21 V、工作电源电压 12.5～20 V、输出电压 580 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-14 封装。IXDN602SIATR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、商品名称 Clare，采用 SOIC-8 封装。TC4427AVOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。