L6227Q
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 2 Driver。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录IRS25752LTRPBF
Infineon Technologies
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 10 V、输出电流 160 mA、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers。IRS2181STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。IXDN614CI
IXYS Integrated Circuits · 封装：TO-220-5
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、商品名称 Clare，采用 TO-220-5 封装。MAX253CSA+T
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-Narrow-8 封装。VNQ860-E
STMicroelectronics · 封装：SO-20
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 36 V、输出电流 250 mA、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 4 Driver，采用 SO-20 封装。UCC27201DRMR
Texas Instruments · 封装：VSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 VSON-8 封装。FAN3121TMX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 12 V、输出电流 9.7 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。LM5111-1MX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。LM5112SD/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-6
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 7 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-6 封装。DRV592VFP
Texas Instruments · 封装：HLQFP-32
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.8～5.5 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si，采用 HLQFP-32 封装。HIP4080AIBZT
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-20
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 9.5～15 V、输出电流 2.6 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-20 封装。VNQ7050AJTR
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。IXDD630YI
IXYS Integrated Circuits · 封装：TO-263-5
主要参数包括电源电压（最小值） 12.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 12.5 V、输出电流 30 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 TO-263-5 封装。ADUM3221BRZ
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 4.7 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 700 A，采用 SOIC-8 封装。HT0740LG-G
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 0.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 8.5 V、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。FAN3100CMPX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：MLP-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 12 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 MLP-6 封装。IXDI630CI
IXYS Integrated Circuits · 封装：TO-220-5
主要参数包括电源电压（最小值） 12.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 12.5 V、输出电流 30 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 TO-220-5 封装。ISO1H811GAUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-36
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、商品名称 ISOFACE、型号别名 ISO1H811G SP000413798，采用 SOIC-36 封装。IRS2113SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。