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Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 17 V、技术 Si、类型 Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录IXDI614SI
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、商品名称 Clare，采用 SOIC-8 封装。VND7140AJTR
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电压 5 V、输出电流 10 mA、技术 Si、类型 High Side，采用 PowerSSO-16 封装。AUIRS21811STR
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。TPS51604DSGR
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 4.5～28 V、输出电压 34 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C，采用 WSON-8 封装。UCC27519DBVR
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。MADR-009190-000100
MACOM · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 35 mA、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-16 封装。MAX845ESA+T
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-8 封装。MD1822K6-G
Microchip Technology · 封装：VQFN-16
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.000892 oz，采用 VQFN-16 封装。DRF1201
Microchip / Microsemi
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 10～15 V、输出电流 8 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting。ISO1H816GAUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-36
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、商品名称 ISOFACE、型号别名 ISO1H816G SP000555578，采用 SOIC-36 封装。MC34931EK
NXP / Freescale · 封装：SOIC-32-EP
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 5～28 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si，采用 SOIC-32-EP 封装。NCP5104DR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） - 0.3 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 0.7 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-8 封装。EL7155CSZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16.5 V、工作电源电压 4.5～16.5 V、输出电流 3.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。LM5107SD/NOPB
Texas Instruments · 封装：LLP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1.4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 LLP-8 封装。IRS2184SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。L6390DTR
STMicroelectronics · 封装：SO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 12.5 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SO-16 封装。L6398D
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） - 300 mV、电源电压（最大值） 21 V、输出电压 - 11 V to + 580 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-8 封装。UCC27536DBVR
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 35 V、工作电源电压 10～35 V、输出电流 2.5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。EL7156CSZ-T7
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 18 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Inverting、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。