LM5111-1MY/NOPB
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录ISO5451DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 15～30 V、输出电流 3.6 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。EL7202CSZ-T7
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 15 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 20 ns，采用 SOIC-8 封装。VN751PT13TR
STMicroelectronics · 封装：PPAK-4
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 24 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 PPAK-4 封装。UCC28089DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 1000 kHz、电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 8～15 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C，采用 SOIC-8 封装。FDMF5820DC
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-31
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、输出电流 60 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 PQFN-31 封装。LM5104M/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1.8 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。MIC5020YM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 11 V、电源电压（最大值） 50 V、工作电源电压 11～50 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。IXDF604SI
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。TD310ID
STMicroelectronics · 封装：SO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、输出电流 250 mA、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, LSTTL、驱动器数 3 Driver，采用 SO-16 封装。LT1910ES8#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 48 V、输出电压 12 V、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SO-8 封装。TC4421AVOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-8 封装。FAN7384MX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 13 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-14 封装。ISO1H815G
Infineon Technologies · 封装：SOIC-36
主要参数包括电源电压（最小值） - 0.5 V、电源电压（最大值） 6.5 V、输出电流 1.2 A、技术 Si、类型 High Side、产品 Driver ICs - Various，采用 SOIC-36 封装。IR2117STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 25 V、输出电压 10～20 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。UCC27324DGNR
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。MIC5060YML-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：MLF-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、型号别名 MIC5060YML TR、单件重量 0.000808 oz，采用 MLF-8 封装。CSD97394Q4M
Texas Instruments · 封装：VSON-CLIP-8
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、湿敏性 是、商品名称 NexFET，采用 VSON-CLIP-8 封装。SI8238AD-D-ISR
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns。HIP2101IBZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 9～14 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。