VN5050JTR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-12
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 41 V、工作电源电压 13 V、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 1 Driver，采用 PowerSSO-12 封装。电源管理与驱动
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
134,686 条型号记录1EDI20N12AF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER，采用 SOIC-8 封装。1EDI20N12AFXUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER，采用 SOIC-8 封装。VND14NV04-E
STMicroelectronics · 封装：TO-252
主要参数包括输出电流 12 A、技术 Si、输出数 1 Output、工作电源电流 100 uA、耗散功率（Pd） 74 W、认证等级 AEC-Q100，采用 TO-252 封装。IR2130SPbF
Infineon / IR · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 625 V、输出电压 10～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si，采用 SOIC-28 封装。IXDD609D2TR
IXYS Integrated Circuits · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、技术 Si、类型 Non-Inverting、上升时间 22 ns、下降时间 15 ns，采用 DFN-8 封装。IR2130PbF
Infineon / IR · 封装：PDIP-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 625 V、输出电压 0.3 V、输出电流 200 mA、技术 Si，采用 PDIP-28 封装。IR3553MTRPBF
Infineon / IR · 封装：PQFN-25
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 7 V, 15 V、工作电源电压 4.5 V to 7 V, 4.5 V to 15 V、输出电流 40 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PQFN-25 封装。HIP4080AIPZ
Renesas / Intersil · 封装：PDIP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 9.5～15 V、输出电流 2.6 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PDIP-20 封装。1ED020I12F2XUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 6.5 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SOIC-16 封装。1ED020I12-F2
Infineon Technologies · 封装：DSO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 6.5 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 DSO-16 封装。UCC27424MDGNREP
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 5～15 V、工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。IR2113SPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。IR2113STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 25 V、输出电压 10～20 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。IR2110SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。NCV7608DQR2G
ON Semiconductor · 封装：SSOP-36 EP
主要参数包括电源电压（最小值） 3.15 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电流 350 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SSOP-36 EP 封装。VN920SPTR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、工作电源电压 13 V、技术 Si、类型 High Side、输出数 1 Output、工作电源电流 5 mA，采用 PowerSO-10 封装。IR2184SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。IR2112PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 PDIP-14 封装。FAN3226TMX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 12 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。