芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

134,686 条型号记录

每页 20 条

L6386ED

STMicroelectronics

主要参数包括技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output。

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IR2104STRPBF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。

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IR2101STRPBF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 15 V、输出电压 10～20 V、输出电流 360 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C，采用 SOIC-8 封装。

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IR2011SPBF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 250 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。

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IR2181STRPBF

Infineon / IR · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。

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IR2181SPBF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。

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IR2110STRPBF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 封装。

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IR2010SPBF

Infineon / IR · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。

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VN920B5TR-E

STMicroelectronics · 封装：P2PAK-4

主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 13 V、输出电流 30 A、技术 Si、类型 High Side，采用 P2PAK-4 封装。

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MIC5021YM-TR

Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 12 V、电源电压（最大值） 36 V、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-8 封装。

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VN920B5-E

STMicroelectronics · 封装：P2PAK

主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 13 V、输出电流 30 A、技术 Si、类型 High Side，采用 P2PAK 封装。

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IRS2186SPbF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 4 A、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。

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IR2104SPBF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 15 V、输出电流 360 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。

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IR2110PBF

Infineon Technologies · 封装：PDIP-14

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-14 封装。

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VN5016AJTR-E

STMicroelectronics · 封装：Power SSO-12

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 13 V、工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、类型 High Side，采用 Power SSO-12 封装。

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VND7020AJTR

STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-16

主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电压 5 V、输出电流 3 uA、技术 Si、类型 High Side，采用 PowerSSO-16 封装。

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1EDI60N12AF

Infineon Technologies

主要参数包括技术 Si、湿敏性是、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 1EDI60N12AFXUMA1 SP001037224、单件重量 0.002928 oz。

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IR4427SPBF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 6～20 V、输出电流 2.3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。

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IRS2011SPBF

Infineon / IR · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。

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IRS21867STRPBF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-8 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。