MADR-007097-000100
MACOM
主要参数包括技术 Si。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录LM5104MX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1.8 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。ICL7667CBAZA
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 10000 kHz、电源电压（最大值） 15 V、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 30 ns，采用 SOIC-8 封装。EL7212CSZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4.5～15 V、输出电流 2 A、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。TC4427AEOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。BTS3800SLHTSA1
Infineon Technologies · 封装：SCT-595-5
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、商品名称 HITFET、型号别名 BTS3800SL BTS38SLXT SP000732200、单件重量 0.000491 oz，采用 SCT-595-5 封装。MAX4896ATP+
Maxim Integrated · 封装：QFN-EP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 QFN-EP-20 封装。MAX5048BAUT+T
Maxim Integrated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、技术 Si、类型 Low Side、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output、上升时间 82 ns，采用 SOT-23-6 封装。UCC27211DDAR
Texas Instruments · 封装：SO-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 7.8～20 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SO-PowerPad-8 封装。UCC27533DBVR
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 35 V、工作电源电压 10～35 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。IXDD604SIATR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。FAN7392MX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOP-16 封装。SI8244BB-D-IS1R
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。VN751PT
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 36 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 1 Driver。ZXGD3003E6TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最大值） 40 V、输出电流 1.4 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOT-23-6 封装。ZXGD3006E6TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最大值） 40 V、输出电流 10 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOT-23-6 封装。ZXGD3005E6TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最大值） 25 V、工作电源电压 25 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOT-23-6 封装。ULN2003F12FN-7
Diodes Incorporated · 封装：UDFN3030-10
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电压 16 V、输出电流 100 mA、技术 Si、产品 Relay Drivers，采用 UDFN3030-10 封装。ZXGD3009E6TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最大值） 40 V、输出电压 7 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOT-23-6 封装。IXDN609YI
IXYS Integrated Circuits · 封装：TO-263-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、技术 Si、类型 Non-Inverting、上升时间 22 ns、下降时间 15 ns，采用 TO-263-5 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。