HIP4082IBZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 8.5 V、电源电压（最大值） 15 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers、上升时间 25 ns，采用 SOIC-16 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录ICL7667CPAZ
Renesas / Intersil · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4.5～15 V、技术 Si、类型 Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-8 封装。MAX4427ESA+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 mV、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-8 封装。VN330SPTR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 36 V、输出电流 700 mA、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 4 Driver，采用 PowerSO-10 封装。MAX256ASA+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、技术 Si、工作电源电流 1.06 mA、耗散功率（Pd） 1509 mW，采用 SOIC-8 封装。UCD7242RSJT
Texas Instruments · 封装：VQFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 2.2 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 2.2～18 V、输出电压 - 0.3 V to + 3.6 V、输出电流 10 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C，采用 VQFN-32 封装。ADUM4135BRWZ
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 6 V、输出电压 12～30 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-16 封装。EL7156CSZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16.5 V、工作电源电压 4.5～16.5 V、输出电流 3.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。VN330SP-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 36 V、输出电流 700 mA、技术 Si、类型 High Side，采用 PowerSO-10 封装。MAX13256ATB+T
Maxim Integrated · 封装：TDFN-10
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 8～36 V、输出电流 300 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 TDFN-10 封装。HIP4080AIBZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-20
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 9.5～15 V、输出电流 2.6 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-20 封装。HIP4081AIBZT
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-20
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 15 V、技术 Si、类型 Full-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers、上升时间 35 ns，采用 SOIC-20 封装。HIP4081AIPZ
Renesas / Intersil · 封装：PDIP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 9.5～15 V、输出电压 12.6 V、输出电流 - 30 uA、技术 Si，采用 PDIP-20 封装。TC4424CPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。FAN3278TMX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 27 V、工作电源电压 12 V、输出电压 30 V、输出电流 1.5 A、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。L6385ED013TR
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） - 0.3 V、电源电压（最大值） 17 V、工作电源电压 15 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SO-8 封装。IR1161LTRPBF
Infineon / IR
主要参数包括技术 Si、型号别名 SP001561092、单件重量 0.008325 oz。UC3708N
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 35 V、工作电源电压 10～35 V、输出电流 3 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。UC3710T
Texas Instruments · 封装：TO-220-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.7 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.7～18 V、输出电流 6 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 TO-220-5 封装。MIC4428YM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 25 mV、输出电流 1.5 A、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。