IXDN609SI
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
134,686 条型号记录AUIR2085STR
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 500 kHz、电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。SI8233BB-D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。MAX4820ETP+
Maxim Integrated · 封装：QFN-EP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3 V, 5 V、输出电流 70 mA、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 QFN-EP-20 封装。FDA217S
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、配置 Dual、工作电源电流 5 mA，采用 SOIC-8 封装。SI8244BB-D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 3.6 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、工作电源电流 2.5 mA，采用 SOIC-16 封装。UCC27714DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-14 封装。UCC37322P
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。IXDI609SI
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、技术 Si、类型 Inverting、上升时间 22 ns、下降时间 15 ns，采用 SOIC-8 封装。UCC27201DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。EL7457CLZ-T7
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
主要参数包括最大时钟频率 40000 kHz、电源电压（最大值） 16.5 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 4 Driver、输出数 4 Output，采用 QFN EP 封装。MAX4896ETP+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 420 mA、技术 Si、类型 Low Side、产品 Relay Drivers，采用 TQFN-EP-20 封装。IXDD614YI
IXYS Integrated Circuits · 封装：TO-263-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、技术 Si、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、上升时间 25 ns，采用 TO-263-5 封装。EL7457CLZ
Renesas / Intersil · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 QFN-16 封装。EL7457CUZ
Renesas / Intersil · 封装：QSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 QSOP-16 封装。ISL2111ABZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 8～14 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。IXDD614SI
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MAX253ESA+T
Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-Narrow-8 封装。IXDN614SI
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、商品名称 Clare，采用 SOIC-8 封装。HIP4082IBZT
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括最大时钟频率 200 kHz、电源电压（最小值） 8.5 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 12 V、输出电流 1.25 A、技术 Si，采用 SOIC-Narrow-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。