IXDN604PI
IXYS Integrated Circuits · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DIP-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录SI8261BAC-C-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 60 ns、工作电源电流 2 mA，采用 SOIC-8 封装。IXDF604SIA
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。IXDN604SIA
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。UCC27524AQDRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。IXDN609SIATR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、技术 Si、类型 Non-Inverting、上升时间 22 ns、下降时间 15 ns，采用 SOIC-8 封装。FAN7390MX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 22 V、工作电源电压 15 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOP-8 封装。MIC5018YM4-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOT-143
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 9 V、工作电源电压 2.7～9 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 TTL，采用 SOT-143 封装。UCC27537DBVR
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 35 V、工作电源电压 10～35 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。ISL55110IVZ
Renesas / Intersil · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 13.2 V、工作电源电压 2.7～13.2 V、输出电压 3～13.2 V、输出电流 100 mA、技术 Si，采用 TSSOP-8 封装。ISL55110IRZ
Renesas / Intersil · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers、上升时间 1.5 ns，采用 QFN-16 封装。MAX253CSA+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-8 封装。UCC27531DBVR
Texas Instruments · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 35 V、工作电源电压 10～35 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOT-23-6 封装。LM5109BSD/NOPB
Texas Instruments · 封装：LLP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 LLP-8 封装。UCC27611DRVT
Texas Instruments · 封装：WSON-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4～18 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 WSON-6 封装。UCC27531QDBVRQ1
Texas Instruments · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 35 V、工作电源电压 10～35 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-6 封装。LM5105SD/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1.8 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。MIC5014YM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.75 V、电源电压（最大值） 30 V、工作电源电压 2.75～30 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 TTL，采用 SOIC-8 封装。IXDD604SI
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。IXDD609SI
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。