UCC27517ADBVR
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。电源管理与驱动
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
134,686 条型号记录TC4427ACOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。FAN73711MX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电压 30 mV to 1.2 V、输出电流 4 A、技术 Si，采用 SOP-8 封装。FAN73832MX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 15 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOP-8 封装。IX4427NTR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、工作电源电压 4.5～35 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。IX4427MTR
IXYS Integrated Circuits · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DFN-8 封装。IX4427N
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、工作电源电压 4.5～35 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。PM8841D
STMicroelectronics · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 10～18 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。NCV8405ADTRKG
ON Semiconductor · 封装：DPAK-3
主要参数包括技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、输出数 1 Output、配置 Single、耗散功率（Pd） 2.5 W，采用 DPAK-3 封装。FAN3100TMPX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：MLP-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 12 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 MLP-6 封装。UCC27524DSDR
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 WSON-8 封装。MD1213K6-G
Microchip Technology · 封装：QFN-12
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13 V、工作电源电压 12 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 QFN-12 封装。FAN3122TMX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 12 V、输出电流 9.7 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。MAX5048CAUT+T
Maxim Integrated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、输出电流 7 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOT-23-6 封装。LM5109AMAX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。LM5109BMAX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UCC27511AQDBVRQ1
Texas Instruments · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 8 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-6 封装。UCC27517AQDBVRQ1
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。FAN3268TMX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 TTL，采用 SOIC-8 封装。UCC27517ADBVT
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 130 mV、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C，采用 SOT-23-5 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。