IR2133JPbF
Infineon Technologies · 封装：PLCC-44
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 625 V、输出电压 0.3 V、输出电流 200 mA、技术 Si，采用 PLCC-44 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录IR2132JTRPBF
Infineon Technologies · 封装：PLCC-32
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PLCC-32 封装。IR2233SPbF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 625 V、输出电压 0.3 V、输出电流 200 mA、技术 Si，采用 SOIC-28 封装。MC10XS4200BFK
NXP / Freescale
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 934070604557、单件重量 0.034297 oz。IR2133PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-28 封装。MAX5064BATC+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-12
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 8～12.6 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 TQFN-12 封装。MD1711K6-G
Microchip Technology · 封装：QFN-48
主要参数包括电源电压（最小值） 1.8 V、工作电源电压 3.3 V、技术 Si、驱动器数 12 Driver、输出数 12 Output、上升时间 8 ns，采用 QFN-48 封装。IR2135JTRPBF
Infineon / IR · 封装：PLCC-32
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PLCC-32 封装。UC3705N
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 40 V、工作电源电压 5～40 V、输出电流 1.5 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。2ED300C17-ST ROHS
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 2ED300C17STROHSBPSA1 SP000359188。NUD3112DMT1G
ON Semiconductor · 封装：SC-74-6
主要参数包括技术 Si、类型 Inverting、产品 Relay Drivers、输出数 2 Output、配置 Dual、上升时间 61 ns，采用 SC-74-6 封装。MDC3105LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 3～6 V、输出电流 400 mA、技术 Si、产品 Relay Drivers，采用 SOT-23 封装。MAX4940ACTN+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-56
主要参数包括电源电压（最小值） 2.37 V、电源电压（最大值） 6 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Piezoelectric Horn Drivers、驱动器数 4 Driver，采用 TQFN-EP-56 封装。MAX1969EUI+
Maxim Integrated · 封装：TSSOP-EP-28
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 2.3～4.3 V、输出电流 6 A、技术 Si、驱动器数 1 Driver，采用 TSSOP-EP-28 封装。TC4427MJA
Microchip Technology · 封装：CDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 CDIP-8 封装。TC426MJA
Microchip Technology · 封装：CDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 CDIP-8 封装。TC4420IJA
Microchip Technology · 封装：CERDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 CERDIP-8 封装。IR2233JPbF
Infineon Technologies · 封装：PLCC-44
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 625 V、输出电压 0.3 V、输出电流 200 mA、技术 Si，采用 PLCC-44 封装。TPL7407LPWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 40 V、工作电源电压 0～40 V、输出电压 40 V、输出电流 600 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C，采用 TSSOP-16 封装。MIC4416YM4-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOT-143
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 25 mV、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOT-143 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。