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电源管理与驱动

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134,686 条型号记录
每页 20 条

HIP4086ABZ

Renesas / Intersil · 封装：SOIC-24

主要参数包括电源电压（最小值） 7 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 7～15 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-24 封装。
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IRS23364DSPBF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-Wide-28

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si，采用 SOIC-Wide-28 封装。
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ISO1H811G

Infineon Technologies · 封装：SOIC-36

主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 625 mA、技术 Si、类型 High Side、产品 Relay Drivers，采用 SOIC-36 封装。
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IXDN630MYI

IXYS Integrated Circuits · 封装：TO-263-5

主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 9 V、输出电流 30 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 TO-263-5 封装。
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MADR-009443-0001TR

MACOM · 封装：PQFN-EP-20

主要参数包括技术 Si、高度 0.9 mm、长度 4 mm、宽度 4 mm，采用 PQFN-EP-20 封装。
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EL7158ISZ

Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 12 V、工作电源电压 4.5～12 V、输出电流 12 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。
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VND5E006ASPTR-E

STMicroelectronics · 封装：PowerSO-16

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 41 V、工作电源电压 4.5～28 V、输出电流 10 A、技术 Si、类型 High Side，采用 PowerSO-16 封装。
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IR2133STRPBF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-28

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-28 封装。
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MAX13253ATB+T

Maxim Integrated · 封装：TDFN-10

主要参数包括技术 Si、开发套件 MAXREFDES18#、型号别名 MAX13253、单件重量 0.001764 oz，采用 TDFN-10 封装。
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IR21363STRPBF

Infineon / IR · 封装：SOIC-28

主要参数包括电源电压（最小值） 12 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 350 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-28 封装。
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MAX15025AATB+T

Maxim Integrated · 封装：TDFN-EP-10

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 10 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 TDFN-EP-10 封装。
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VN808CMTR-E

STMicroelectronics · 封装：PowerSO-38

主要参数包括电源电压（最小值） 10.5 V、电源电压（最大值） 45 V、工作电源电压 10.5～45 V、输出电流 700 mA、输出数 8 Output、耗散功率（Pd） 96 W，采用 PowerSO-38 封装。
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VN808TR-E

STMicroelectronics · 封装：PowerSO-36

主要参数包括电源电压（最小值） 10.5 V、电源电压（最大值） 45 V、工作电源电压 24 V、输出电流 700 mA、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 PowerSO-36 封装。
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VN808-32-E

STMicroelectronics · 封装：PowerSO-36

主要参数包括电源电压（最小值） 10.5 V、电源电压（最大值） 45 V、工作电源电压 45 V、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PowerSO-36 封装。
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EL7155CSZ-T7

Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 40000 kHz、电源电压（最大值） 16.5 V、输出电流 3.5 A、技术 Si、驱动器数 1 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。
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IR2130JPbF

Infineon Technologies · 封装：PLCC-44

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 625 V、输出电压 10～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si，采用 PLCC-44 封装。
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MC33816AE

NXP / Freescale · 封装：LQFP-64

主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 2.625 V、输出电压 7 V、输出电流 - 15 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 LQFP-64 封装。
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IR2131JTRPBF

Infineon Technologies · 封装：PLCC-32

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 160 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PLCC-32 封装。
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