ISO5851DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3 V, 5.5 V、输出电压 15～30 V、输出电流 2.5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C，采用 SOIC-16 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MADRCC0007
MACOM · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 1 mA、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-16 封装。VNQ5050AKTR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-24
主要参数包括电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 13 V、技术 Si、驱动器数 4 Driver、输出数 4 Output、工作电源电流 14 mA，采用 PowerSSO-24 封装。IR2214SSPBF
Infineon Technologies · 封装：SSOP-24
主要参数包括电源电压（最小值） 11.5 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SSOP-24 封装。IR2213SPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 12 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.7 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 封装。ISO5500DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3～5.5 V、输出电流 2.5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。IR21365STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 12 V、电源电压（最大值） 20 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 6 Driver，采用 SOIC-28 封装。MC33880PEW
NXP / Freescale · 封装：SOIC-32 Wide
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 24.5 V、工作电源电压 5.5～24.5 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-32 Wide 封装。IRS2336DSPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-28 封装。EL7154CSZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-8 封装。MADRCC0004
MACOM
主要参数包括技术 Si。IRS2334MTRPBF
Infineon Technologies · 封装：MLP-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 MLP-28 封装。VN5T006ASPTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。IRS2334STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-20
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-20 封装。LCS703HG
Power Integrations · 封装：eSIP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 11.4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 11.4～15 V、输出电流 10.4 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 eSIP-16 封装。MAX5048AAUT+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、技术 Si、类型 Low Side、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output、上升时间 82 ns。1ED020I12-BT
Infineon Technologies · 封装：DSO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 6.5 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 DSO-16 封装。HIP4086AABZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-24
主要参数包括电源电压（最小值） - 0.3 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 - 0.3 V to + 16 V、输出电流 140 uA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-24 封装。HIP4086ABZT
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-24
主要参数包括技术 Si、上升时间 40 ns、下降时间 20 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、高度 2.35 mm，采用 SOIC-24 封装。IR2125PBF
Infineon / IR · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 12～18 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 PDIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。