VNQ860SPTR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 5.5～36 V、输出电流 250 mA、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 PowerSO-10 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录ISL6596IRZ
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 DFN-EP-10 封装。VND5T035AKTR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-24
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 24 V、工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、类型 High Side，采用 PowerSSO-24 封装。VNI4140K-32
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-24
主要参数包括电源电压（最小值） 10.5 V、电源电压（最大值） 36 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 High Side、产品 Relay Drivers，采用 PowerSSO-24 封装。L9733CNTR
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-28
主要参数包括输出电流 190 mA、技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是，采用 PowerSSO-28 封装。IR2086STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括最大时钟频率 500 kHz、电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 1.2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-Narrow-16 封装。ADUM7223BCCZ
Analog Devices · 封装：LGA-13
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 7.5 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 LGA-13 封装。ADUM7223ACCZ-RL7
Analog Devices · 封装：LGA-13
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Isolated Gate Drivers，采用 LGA-13 封装。AUIRS2113STR
Infineon / IR · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 2.5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。ISL6622CBZ-T
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 13.2 V、输出电流 3 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 26 ns，采用 SOIC-8 封装。L9733XP
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-28
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、输出电流 800 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 PowerSSO-28 封装。IRS21834PBF
Infineon / IR · 封装：PDIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-14 封装。IR2113PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-14 封装。VN340SP-33-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-12
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 10～36 V、输出电流 1 A、技术 Si、输出数 1 Output，采用 PowerSO-12 封装。ISL6627IRZ
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、产品系列 ISL6627、高度 0.95 mm、长度 3 mm，采用 DFN-EP-10 封装。MAX5048BATT+T
Maxim Integrated · 封装：DFN-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 12.6 V、输出电流 6.85 uA、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DFN-6 封装。IXDD614CI
IXYS Integrated Circuits · 封装：TO-220-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 TO-220-5 封装。FDMF6707C
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 50 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-40 封装。FDMF6707B
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 12 V、输出电流 50 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PQFN-40 封装。FDMF6821A
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、输出电流 60 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PQFN-40 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。