VND5E025AK-E
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 13 V、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 2 Driver。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录IR2184PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 PDIP-14 封装。IR2184STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。FDMF6704A
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：MLP-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 35 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MLP-40 封装。UCC27211ADRMT
Texas Instruments · 封装：VSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 7.8～20 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 VSON-8 封装。ISL6596CRZ
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 DFN-EP-10 封装。MIC4467YWM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4467YWM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。MIC4469YWM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-16
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4469YWM TR、单件重量 0.023492 oz，采用 SOIC-16 封装。MIC4468ZWM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4468ZWM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。VN5012AKTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output、工作电源电流 1.5 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、认证等级 AEC-Q100。NCV7518MWTXG
ON Semiconductor · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 5 Driver，采用 QFN-32 封装。NCV7513BFTR2G
ON Semiconductor · 封装：LQFP-32
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、工作电源电压 4.75～5.25 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 LQFP-32 封装。IR21834PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-14 封装。FDMF6823B
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 55 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-40 封装。IRS2453DPBF
Infineon Technologies · 封装：DIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 260 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 DIP-14 封装。IR2183PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。MAX4429ESA+
Maxim Integrated · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SO-8 封装。IRS21814MTRPBF
Infineon Technologies · 封装：MLPQ-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MLPQ-16 封装。IR2136SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-28 封装。L6375S
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side、产品 Driver ICs - Various，采用 SO-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。