HIP2101EIBZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-EP-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 600 ns，采用 SOIC-EP-Narrow-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录HIP2101IBZT
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。UCC27201AQDDARQ1
Texas Instruments · 封装：SO-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 17 V、工作电源电压 12 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-PowerPad-8 封装。HIP2100IBZT
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。IR2102STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 360 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。IR2102SPBF
Infineon / IR · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PDIP-8 封装。VND5E025AKTR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-24
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 13 V、工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、类型 High Side，采用 PowerSSO-24 封装。L6226QTR
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 2 Driver。AUIRB24427STR
Infineon / IR · 封装：PSOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 12.5～24 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 PSOIC-8 封装。IR2308PBF
Infineon / IR · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。UCC27211DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 7.8～20 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。ISL6612AIBZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2000 kHz、电源电压（最大值） 13.2 V、工作电源电压 12 V、输出电流 3 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-8 封装。MAX4823ETP+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、型号别名 MAX4823、单件重量 0.001340 oz，采用 TQFN-EP-20 封装。L2293Q
STMicroelectronics · 封装：VFQFPN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 2.8～36 V、输出电流 600 mA、技术 Si、产品 Half-Bridge Drivers，采用 VFQFPN-32 封装。IR2010PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-14 封装。IR2112STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。VND5E025MKTR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-24
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 41 V、工作电源电压 4.5～28 V、输出电流 60 A、技术 Si、类型 High Side，采用 PowerSSO-24 封装。ISL6609ACRZ
Renesas / Intersil · 封装：QFN-EP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 QFN-EP-8 封装。IR2301PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。FDMF5822DC
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-31
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、输出电流 55 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 PQFN-31 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。