BU2152FS-E2
ROHM Semiconductor
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、输出电流 25 mA、技术 Si、类型 Non-Inverting。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录LM5101ASD-1/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-8 封装。IR2183STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。6EDL04I06NT
Infineon Technologies · 封装：SOIC-Wide-28
主要参数包括技术 Si、高度 2.65 mm、长度 18.1 mm、宽度 7.6 mm、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER，采用 SOIC-Wide-28 封装。6EDL04N06PT
Infineon Technologies · 封装：DSO-28
主要参数包括技术 Si、高度 2.65 mm、长度 18.1 mm、宽度 7.6 mm、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER，采用 DSO-28 封装。IXDI609YI
IXYS Integrated Circuits · 封装：TO-263-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、技术 Si、类型 Inverting、上升时间 22 ns、下降时间 15 ns，采用 TO-263-5 封装。IR2183SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。FDMF5820TDC
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-31
主要参数包括最大时钟频率 1.5 MHz、电源电压（最小值） - 0.3 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 5 V、输出电流 60 A、技术 Si，采用 PQFN-31 封装。SI8238BD-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。6EDL04N02PR
Infineon Technologies · 封装：TSSOP-28
主要参数包括技术 Si、高度 1.2 mm、长度 9.7 mm、宽度 4.4 mm、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER，采用 TSSOP-28 封装。UCC27201DDAR
Texas Instruments · 封装：SO-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SO-PowerPad-8 封装。CSD96370Q5M
Texas Instruments · 封装：LSON-CLIP-22
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side、上升时间 600 ns、下降时间 200 ns、最小工作温度 - 55 C，采用 LSON-CLIP-22 封装。CSD97370Q5M
Texas Instruments · 封装：LSON-CLIP-22
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side、上升时间 600 ns、下降时间 200 ns、最小工作温度 - 55 C，采用 LSON-CLIP-22 封装。UCC27200DRMR
Texas Instruments · 封装：VSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 VSON-8 封装。IRS21834SPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si，采用 SOIC-14 封装。LM9061QDRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、认证等级 AEC-Q100、特性 Overvoltage Cutoff，采用 SOIC-8 封装。ISL6146AFRZ
Renesas / Intersil · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 20 V、技术 Si、驱动器数 1 Driver、工作电源电流 40 uA、最小工作温度 - 40 C，采用 DFN-8 封装。HIP2100EIBZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-EP-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 10 ns，采用 SOIC-EP-Narrow-8 封装。CSD95372AQ5M
Texas Instruments · 封装：LSON-CLIP-12
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、湿敏性 是，采用 LSON-CLIP-12 封装。IRS2181PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。