IR21084STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-14 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录IR21271PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 12～18 V、输出电压 9～20 V、输出电流 500 mA、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。EL7252CSZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SOIC-8 封装。IXDN609SITR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、技术 Si、类型 Non-Inverting、上升时间 22 ns、下降时间 15 ns，采用 SOIC-8 封装。IR2108PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 PDIP-8 封装。FAN8841MPX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：MLP-24
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 MLP-24 封装。IR2011PBF
Infineon / IR · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。FDMF6833C
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 50 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-40 封装。IR25607SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 2 A、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。FDMF6823C
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 50 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-40 封装。LM25101CMY/NOPB
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 9～18 V、输出电压 0.28 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。1EBN1001AE
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 1EBN1001AEXUMA1 SP001002438、单件重量 0.005263 oz。IR2128SPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 25 V、输出电压 12～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。LM25101BMAX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 9～18 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。LM9061MX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7 V、电源电压（最大值） 26 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS，采用 SOIC-8 封装。IR2109PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 120 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 PDIP-8 封装。LM5101ASD/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。MAX626CSA+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 mV、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。UCC27322QDGNRQ1
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。UCC27322DGNR
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。