FAN7085MX-GF085
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 4.5～20 V、输出电流 450 mA、技术 Si、类型 High Side，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录FAN7710VN
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.017496 oz。IRS2113PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-14 封装。LM5100BMAX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。FAN8831MPX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：MLP-24
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、技术 Si、类型 Full-Bridge、产品 Piezoelectric Horn Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 MLP-24 封装。IRS2113MTRPBF
Infineon / IR · 封装：MLPQ-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 2.5 A、技术 Si，采用 MLPQ-16 封装。MAX5062AASA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 65 ns。FDMF6704
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：MLP-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 35 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MLP-40 封装。FDMF6706C
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 1 V、输出电流 40 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PQFN-40 封装。ISL6620ACRZ
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 DFN-EP-10 封装。AUIRS2191STR
Infineon Technologies · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 3.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-Narrow-16 封装。IRS21064STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-14 封装。IRSM005-800MH
Infineon / IR
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、商品名称 CIPOS、型号别名 SP001549876。IR2127PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 25 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PDIP-8 封装。IRS21084PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-14 封装。IR21094PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 120 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 PDIP-14 封装。SIC620CD-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：MLP55-31-35
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 5 V、输出电流 60 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 MLP55-31-35 封装。6ED003L02F2XUMA1
Infineon Technologies · 封装：TSSOP-28
主要参数包括电源电压（最小值） 13 V、电源电压（最大值） 17.5 V、输出电流 240 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 TSSOP-28 封装。IRSM005-800MHTR
Infineon / IR · 封装：PQFN-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 40 V、输出电流 80 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PQFN-28 封装。IRS21844PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-14 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。