IR2520DPBF
Infineon Technologies · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 12.6 V、电源电压（最大值） 15.4 V、工作电源电压 14 V、输出电流 230 mA、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 DIP-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录SIC788CD-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：MLP-66-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 5 V、输出电流 50 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 MLP-66-40 封装。IR2127STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 25 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。IR21271SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 25 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。IR21271STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 25 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。FDMF6821B
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、输出电流 55 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PQFN-40 封装。FDMF6820B
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 55 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-40 封装。SI8233BB-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。FDMF5821DC
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-31
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、输出电流 60 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 PQFN-31 封装。VNQ7140AJTR
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side，采用 PowerSSO-16 封装。SN75372DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V, 24 V、工作电源电压 4.75～5.25 V、输出电压 24 V、输出电流 500 mA、工作温度范围 0 C to + 70 C，采用 SOIC-8 封装。SN75372PSR
Texas Instruments · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V, 24 V、工作电源电压 5 V, 20 V、输出电压 24 V、输出电流 500 mA、工作温度范围 0 C to + 70 C，采用 SO-8 封装。EL7202CSZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 15 V、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers、上升时间 20 ns，采用 SOIC-8 封装。FDMF6708N
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、输出电压 24 V、输出电流 50 A、技术 Si，采用 PQFN-40 封装。VND5E050ACKTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。FAN73894MX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 12 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 100 mV、输出电流 350 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-28 封装。IRS21834STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-14 封装。FDMF3030
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 50 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-40 封装。IRS2184PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。ISL6700IBZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 9～15 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。