芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

134,686 条型号记录

每页 20 条

IR4426SPBF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 6～20 V、输出电流 2.3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。

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IRS24531DSPBF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-14

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 260 mA、技术 Si、类型 Full-Bridge，采用 SOIC-14 封装。

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ADP3623ARDZ-RL

Analog Devices · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。

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FDMF6824B

ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-40

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、输出电流 55 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PQFN-40 封装。

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MAX8552ETB+T

Maxim Integrated

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 6.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Non-Inverting。

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IRS2118STRPBF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS，采用 SOIC-8 封装。

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IR21094STRPBF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-14

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 350 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-14 封装。

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SIC789ACD-T1-GE3

Vishay / Siliconix · 封装：MLP-66-40

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 3.3 V、输出电流 60 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 MLP-66-40 封装。

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SIC789CD-T1-GE3

Vishay / Siliconix · 封装：MLP-66-40

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 5 V、输出电流 60 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 MLP-66-40 封装。

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IR21094SPBF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-14

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 120 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-14 封装。

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VN820B5TR-E

STMicroelectronics · 封装：P2PAK-4

主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 13 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 High Side，采用 P2PAK-4 封装。

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IRS2110SPBF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。

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IR2118STRPBF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side，采用 SOIC-8 封装。

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IR1168STRPBF

Infineon / IR · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 8.6 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 200 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。

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IR2111STRPBF

Infineon / IR · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。

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LM27222SD/NOPB

Texas Instruments · 封装：LLP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 6.85 V、工作电源电压 4～6.85 V、输出电流 4.5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 LLP-8 封装。

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IR2161STRPBF

Infineon / IR · 封装：SOIC-8

主要参数包括最大时钟频率 70 kHz、电源电压（最小值） 11.5 V、电源电压（最大值） 16.5 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。

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VN5E016AFHTR-E

STMicroelectronics

主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性是。

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IR11682STRPBF

Infineon / IR · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 8.6 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 200 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。

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VN5E010AHTR-E

STMicroelectronics

主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性是。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。