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Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 High Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MAX15054AUT+T
Maxim Integrated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4.6 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS，采用 SOT-23-6 封装。VND5E160AJ-E
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 13 V、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 2 Driver。IRS4427PBF
Infineon / IR · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 6～20 V、输出电流 2.3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 DIP-8 封装。ISL89410IBZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-8 封装。AUIRS21814STR
Infineon Technologies · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-14 封装。IR2106PBF
Infineon / IR · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。MD1811K6-G
Microchip Technology · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 4 Driver、输出数 4 Output、上升时间 6 ns，采用 QFN-16 封装。FAN3224TMX-F085
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。IX2127NTR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 12 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-8 封装。FAN3223TMX-F085
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。FAN3225CMX-F085
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。FAN3223CMX-F085
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 15 mV、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。FAN3213TMX-F085
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 15 mV、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。FAN3224CMX-F085
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。MAX17491GTA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4.2 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 2.7 A、技术 Si、类型 Non-Inverting。MD1810K6-G
Microchip Technology · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 4 Driver、输出数 4 Output、上升时间 6 ns，采用 QFN-16 封装。IRS21844SPBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 PDIP-8 封装。L6569D
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、工作电源电压 10 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SO-8 封装。TD352IDT
STMicroelectronics · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 12 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。